日本SUNX光電傳感器型號(hào),松下光電傳感器概述
絕緣電阻(初始)1,000MΩ以上(使用DC 500V絕緣
電阻計(jì),測(cè)量與耐電壓項(xiàng)相同的位置)) 耐電壓(初始)
觸點(diǎn)間2,000V AC 1分鐘(檢測(cè)電流:10mA)
觸點(diǎn)與線圈間4,000V AC 1分鐘(檢測(cè)電流:10mA)
耐浪涌電壓(初始)※2觸點(diǎn)與線圈間12,000V 時(shí)間特性(初始)
置位時(shí)間線圈額定電壓 20ms以下(at20℃、不含觸點(diǎn)彈跳)
復(fù)位時(shí)間線圈額定電壓 20ms以下(at20℃、不含觸點(diǎn)彈跳)
耐沖擊性誤動(dòng)作沖擊300m/s2(正弦半波脈沖:11ms、檢測(cè)
時(shí)間:10μs) 耐久沖擊1,000m/s2(正弦半波脈沖:6ms)
耐振性誤動(dòng)作振動(dòng)10~55Hz(雙向振幅:1.5mm、檢測(cè)時(shí)間:
10μs) 耐久振動(dòng)10~55Hz(雙向振幅:2.0mm)
通斷壽命機(jī)械壽命0萬(wàn)次以上(通斷頻率:180次/分)
使用條件使用的環(huán)境、運(yùn)輸、保管條件 ※3※4
溫度:-40~+85℃、濕度:5~85%RH(應(yīng)無(wú)結(jié)冰、凝露)
重量約45g 在微小負(fù)載水平下能夠通斷的下限目標(biāo)值。
該值有時(shí)會(huì)根據(jù)通斷頻率、環(huán)境條件、所期待的
水準(zhǔn)發(fā)生改變,因此在使用時(shí),TJ在實(shí)際負(fù)載下
進(jìn)行確認(rèn)。 但是,波形根據(jù)「JEC–212–1981」
表示為±1.2×50μs的標(biāo)準(zhǔn)沖擊電壓波形。
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